TSM260P02CX RFG
Производитель Номер продукта:

TSM260P02CX RFG

Product Overview

Производитель:

Taiwan Semiconductor Corporation

Номер детали:

TSM260P02CX RFG-DG

Описание:

-20V, -6.5A, SINGLE P-CHANNEL PO
Подробное описание:
P-Channel 20 V 6.5A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-23

Инвентаризация:

8890 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12965586
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

TSM260P02CX RFG Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Taiwan Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
26mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
19.5 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1670 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.56W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
1801-TSM260P02CXRFGCT
1801-TSM260P02CXRFGDKR
TSM260P02CX
1801-TSM260P02CXRFGTR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SI5406CDC-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8

littelfuse

LSIC1MO120G0160

MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L

vishay-siliconix

SI2323DS-T1

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

vishay-siliconix

SIHFR1N60A-GE3

MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA